優(yōu)勢(shì)工藝優(yōu)勢(shì)工藝優(yōu)勢(shì)工藝2021/5/20 16:17:22 · 表面微加工犧牲層工藝 多種犧牲層技術(shù),包括PI,多晶硅,SiO2,Cu和PSG等 · 微電鍍 可利用刻蝕等工藝對(duì)塊硅進(jìn)行準(zhǔn)三維結(jié)構(gòu)的微加工,以形成所需要的硅微結(jié)構(gòu)。 · 深硅刻蝕 深反應(yīng)離子腐蝕工藝,基于氟基氣體的高深寬比硅刻蝕技術(shù)。其工藝步驟為:鈍化----刻蝕---鈍化----刻蝕。鈍化為反應(yīng)室中通入C4F8氣體,通過(guò)化學(xué)反應(yīng)形成聚合物薄膜;刻蝕為反應(yīng)室中通入SF6氣體,進(jìn)行物理和化學(xué)刻蝕??涛g均勻性±5%,邊壁角度:90± 1 °,刻蝕高深寬比超高10:1。 · PZT和AlN工藝 AlN薄膜最厚可生長(zhǎng)2um,6寸晶圓厚度均勻性<2%,殘余應(yīng)力可控制在200MP內(nèi),F(xiàn)WHM低至1°。PZT薄膜。具體工藝能力包括,薄膜最厚可生長(zhǎng)2um,壓電系數(shù)可實(shí)現(xiàn)e31為15C/m2,擊穿場(chǎng)強(qiáng)可達(dá)200V,應(yīng)力可控制在100MPa內(nèi)。 |