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· 研磨/減薄
Si,GaAs,GaN,InP,玻璃,藍寶石,陶瓷等;均勻性:±2um
· 拋光
Si,GaAs,GaN,InP,玻璃,藍寶石,陶瓷等;表面粗糙度:1-50nm
· 激光切割
Si基MEMS產(chǎn)品,樣品厚度:100-700μm, 切割寬度:≤10μm, 樣品尺寸:8寸(向下兼容)
· 刀片切割
8英寸卡盤,不同材料選用不同刀片Si,Ge,玻璃,石英,陶瓷,電路板
· 解理機
GaAs,InP
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