· 研磨/減薄

Si，GaAs，GaN，InP，玻璃，藍寶石，陶瓷等；均勻性：±2um

· 拋光

Si，GaAs，GaN，InP，玻璃，藍寶石，陶瓷等；表面粗糙度：1-50nm

· 激光切割

Si基MEMS產(chǎn)品，樣品厚度：100-700μm， 切割寬度：≤10μm， 樣品尺寸：8寸（向下兼容）

· 刀片切割

8英寸卡盤，不同材料選用不同刀片Si，Ge，玻璃，石英，陶瓷，電路板

· 解理機

GaAs，InP